1. FDP070AN06A0
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厂商型号

FDP070AN06A0 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

内部编号

3-FDP070AN06A0

#1

数量:10653
1+¥8.4755
25+¥7.9362
100+¥7.5509
500+¥7.2427
1000+¥6.9345
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:10653
1+¥8.4755
25+¥7.9362
100+¥7.5509
500+¥7.2427
1000+¥6.9345
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:571
1+¥10.2565
10+¥8.6839
100+¥6.9745
500+¥6.1061
1000+¥5.0531
2500+¥4.6907
5000+¥4.5197
10000+¥4.1778
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDP070AN06A0产品详细规格

规格书 FDP070AN06A0 datasheet 规格书
FDP070AN06A0 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 400
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 7 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 66nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3000pF @ 25V
功率 - 最大 175W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 80 A
RDS -于 7@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型上升时间 159 ns
典型关闭延迟时间 27 ns
典型下降时间 35 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
包装宽度 4.83(Max)
PCB 3
最大功率耗散 175000
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 7@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 10.67(Max)
引脚数 3
包装高度 9.4(Max)
最大连续漏极电流 80
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 15A (Ta), 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7 mOhm @ 80A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 175W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 3000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 66nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
晶体管极性 N-Channel
宽度 4.7 mm
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
类型 MOSFET
下降时间 35 ns
安装风格 Through Hole
品牌 Fairchild Semiconductor
通道数 1 Channel
商品名 PowerTrench
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 15 A
长度 10.67 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 7 mOhms
RoHS RoHS Compliant
系列 FDP070AN06A0
身高 16.3 mm
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 175 W
上升时间 159 ns
技术 Si

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